2SJ200-Y(F)


Купить 2SJ200-Y(F) ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
2SJ200-Y(F) MOSFET P-CH 180V 10A TO-3 MOSFET P-CH 180V 10A TO-3
Версия для печати

Технические характеристики 2SJ200-Y(F)

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET TypeMOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)180V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C10A
Input Capacitance (Ciss) @ Vds1300pF @ 30V
Power - Max120W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)2-16C1B (TO-247 N)
КорпусTO-3P(N)
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


2SJ200-Y(F) datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход