КТ842В

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
КТ842В (КРЕМНИЙ)	52	292.80

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Аналоги:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2SB834		Биполярный транзистор	TOSHIBA
		2SB834		Биполярный транзистор			35.88

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
Д814А1	стекло		6 932	3.70
Д814А1	стекло	САРАНСК	94 393	1.07
Д814А1	стекло	СЗТП	40	12.49
Д814А1	стекло	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
Д814А1	стекло	РАДИОДЕТ
КД 521 В		RUS
КТ 3107 Г	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...	RUS
КТ3126А			73 112	3.70
КТ3126А		МИНСК	13 192	5.37
КТ3126А		RUS
КТ3126А		ИНТЕГРАЛ	1 332	12.49
КТ3126А		ДАЛЕКС	392	8.27
КТ3126А		1579
КТ3126А		2000
КТ3126А		2976
КТ817А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный		240	27.60
КТ817А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	КРЕМНИЙ	807	32.79
КТ817А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	МИНСК
КТ817А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	БРЯНСК	628	32.22
КТ817А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	УЛЬЯНОВСК
КТ817А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	RUS
КТ817А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ	20	38.80
КТ817А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	КРЕМН
КТ817А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	1103