КТ368ВМ
|
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2Т822Б |
|
|
||||||
 |
КП302А1 | 957 | 16.40 | |||||
|
|
КП302А1 | ВИННИЦА |
|
|
||||
 |
 |
КТ315А |
|
Транзистор биполярный усилительный NPN, 25V, 0.1 A, hFE = 30 кремниевый ... | 13 456 | 15.12 | ||
|
|
|
КТ315А |
|
Транзистор биполярный усилительный NPN, 25V, 0.1 A, hFE = 30 кремниевый ... | RUS |
|
|
|
|
|
|
КТ315А |
|
Транзистор биполярный усилительный NPN, 25V, 0.1 A, hFE = 30 кремниевый ... | ОАО «НАЛЬЧИКСКИЙ ЗАВОД ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ» |
|
|
|
|
|
|
КТ315А |
|
Транзистор биполярный усилительный NPN, 25V, 0.1 A, hFE = 30 кремниевый ... | 3 |
|
|
|
 |
|
КТ646Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | 132 | 63.00 | ||
|
|
|
КТ646Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | КРЕМНИЙ | 8 | 46.85 | |
|
|
|
КТ646Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | МИНСК | 800 | 22.32 | |
|
|
|
КТ646Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | RUS |
|
|
|
|
|
|
КТ646Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | ИНТЕГРАЛ | 35 | 48.56 |
