| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
ГД507А |
|
Диод импульсный для монтажа в отв. платы, Uоб/Uимп - 20/30В, Iпр/I обр 16мА/100мкА
|
|
|
4.80
|
|
|
|
|
ГД507А |
|
Диод импульсный для монтажа в отв. платы, Uоб/Uимп - 20/30В, Iпр/I обр 16мА/100мкА
|
ЭЛЕКС
|
|
|
|
|
|
|
КВ121А |
|
Варикапы кремниевые, эпитаксиально-планарные, подстроенные, для применения в ...
|
|
800
|
10.15
|
|
|
|
|
КВ121А |
|
Варикапы кремниевые, эпитаксиально-планарные, подстроенные, для применения в ...
|
ХЕРСОН
|
|
|
|
|
|
|
КР514ИД2 |
|
Микросхема дешифратор двоично-десятичного кода для 7-сегментного светодиодного ...
|
|
660
|
68.04
|
|
|
|
|
КР514ИД2 |
|
Микросхема дешифратор двоично-десятичного кода для 7-сегментного светодиодного ...
|
ХЕРСОН
|
|
|
|
|
|
|
КР514ИД2 |
|
Микросхема дешифратор двоично-десятичного кода для 7-сегментного светодиодного ...
|
ДНЕПР
|
|
|
|
|
|
|
КР514ИД2 |
|
Микросхема дешифратор двоично-десятичного кода для 7-сегментного светодиодного ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КР514ИД2 |
|
Микросхема дешифратор двоично-десятичного кода для 7-сегментного светодиодного ...
|
ПО "ДНЕПР"
|
336
|
89.89
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
|
524
|
13.62
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
612
|
16.40
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
БРЯНСК
|
180
|
16.96
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
МИНСК
|
3 284
|
16.96
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
ВОРОНЕЖ
|
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
115
|
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
1872
|
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
420
|
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
558
|
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
6
|
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
4
|
1
|
12.31
|
|
|
|
|
КТ368БМ |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
|
992
|
49.14
|
|
|
|
|
КТ368БМ |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
СВЕТЛАНА
|
|
|
|
|
|
|
КТ368БМ |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ368БМ |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ДАЛЕКС
|
|
|
|
|
|
|
КТ368БМ |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
Версия для печати
