| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
10CTQ150PBF |
|
Диод Шоттки 150V 10A(2x5)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
10CTQ150PBF |
|
Диод Шоттки 150V 10A(2x5)
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
|
10CTQ150PBF |
|
Диод Шоттки 150V 10A(2x5)
|
VISHAY/IR
|
|
|
|
|
|
|
10CTQ150PBF |
|
Диод Шоттки 150V 10A(2x5)
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
|
10CTQ150PBF |
|
Диод Шоттки 150V 10A(2x5)
|
|
42
|
111.00
|
|
|
|
|
К73-9-4700ПФ 630В (5%) |
|
|
|
|
|
|
 |
 |
КП501А |
|
Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...
|
|
3 719
|
29.44
|
|
|
|
|
КП501А |
|
Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...
|
МИНСК
|
12 682
|
33.92
|
|
|
|
|
КП501А |
|
Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КП501А |
|
Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КП501А |
|
Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КП501А |
|
Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
|
КП501А |
|
Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...
|
1058
|
|
|
|
|
|
|
КП501А |
|
Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...
|
14555
|
|
|
|
|
|
|
КП501А |
|
Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...
|
3000
|
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
КРЕМНИЙ
|
68
|
1 034.56
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
|
3
|
925.00
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
БРЯНСК
|
169
|
1 325.00
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
СИТ
|
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
1
|
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
104
|
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
24
|
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
88
|
|
|
|
|
|
|
КТ825ГМ |
|
|
|
|
96.00
|
|
|
|
|
КТ825ГМ |
|
|
БРЯНСК
|
|
|
|
Версия для печати
