470МКФ6.3В(8X11)105°C

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
К1УТ401А		КВАЗАР
К1УТ401А
КП303Б	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ...		1 982	41.38
КП303Б	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ...	ФОТОН	1 200	123.98
КП303Б	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ...	АЛЕКСАНДРОВ
КП303Б	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ...	АЛЕСАНДРОВ
КП303Б	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ...	RUS
КР1162ЕН15А	-15В, 1.5А			31.80
КР1162ЕН15А	-15В, 1.5А	КРЕМНИЙ
КР1162ЕН15А	-15В, 1.5А	БРЯНСК
КТ3130А9	Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц		336	12.68
КТ3130А9	Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц	ДАЛЕКС
КТ3130А9	Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц	RUS
КТ3130А9	Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц	ООО "НПК"ДАЛЕКС" Г. АЛЕКСАНДРОВ
КТ3130А9	Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц	АЛЕКСАНДРОВ
КТ3130А9	Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц	ИНТЕГРАЛ
СПО-0,5-3,3 КОМ-20%			8	11.10