| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BT139-600E |
|
Симистор TRIAC средней мощности 600V, 16A, Igt=10mA
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BT139-600E |
|
Симистор TRIAC средней мощности 600V, 16A, Igt=10mA
|
PHILIPS
|
80
|
85.11
|
|
|
|
BT139-600E |
|
Симистор TRIAC средней мощности 600V, 16A, Igt=10mA
|
|
1 594
|
24.81
|
|
|
|
BT139-600E |
|
Симистор TRIAC средней мощности 600V, 16A, Igt=10mA
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BT139-600E |
|
Симистор TRIAC средней мощности 600V, 16A, Igt=10mA
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BT139-600E |
|
Симистор TRIAC средней мощности 600V, 16A, Igt=10mA
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BT139-600E |
|
Симистор TRIAC средней мощности 600V, 16A, Igt=10mA
|
WEEN
|
980
|
38.54
|
|
|
|
BT139-600E |
|
Симистор TRIAC средней мощности 600V, 16A, Igt=10mA
|
1
|
|
|
|
|
|
MR856 |
|
Силовой диод 600В, 3А, 300нс
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MR856 |
|
Силовой диод 600В, 3А, 300нс
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MR856 |
|
Силовой диод 600В, 3А, 300нс
|
|
|
|
|
|
|
MR856 |
|
Силовой диод 600В, 3А, 300нс
|
КИТАЙ
|
800
|
21.08
|
|
|
|
|
PB-10BGN1-G |
|
|
SWITRONIC
|
2 000
|
85.76
|
|
|
|
|
SH063M0100B5S-1012 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 63 В
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
|
SH063M0100B5S-1012 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 63 В
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
SH063M0100B5S-1012 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 63 В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
SH063M0100B5S-1012 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 63 В
|
|
|
|
|
|
|
КТ3117А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный, для ...
|
|
49
|
296.00
|
|
|
|
КТ3117А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный, для ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ3117А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный, для ...
|
ДАЛЕКС
|
|
|
|
|
|
КТ3117А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный, для ...
|
RUS
|
|
|
|