220МКФ16В(6.3X11)105°C

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
AD812ANZ	2 Операционный усилитель бипл., ОС по току, 145 МГц, 1600 В/мкс, Uсм = 2 мВ, 15 ...	ANALOG DEVICES
AD812ANZ	2 Операционный усилитель бипл., ОС по току, 145 МГц, 1600 В/мкс, Uсм = 2 мВ, 15 ...	ANALOG
AD812ANZ	2 Операционный усилитель бипл., ОС по току, 145 МГц, 1600 В/мкс, Uсм = 2 мВ, 15 ...			543.44
AD812ANZ	2 Операционный усилитель бипл., ОС по току, 145 МГц, 1600 В/мкс, Uсм = 2 мВ, 15 ...	Analog Devices Inc
AD812ANZ	2 Операционный усилитель бипл., ОС по току, 145 МГц, 1600 В/мкс, Uсм = 2 мВ, 15 ...	ФИЛИППИНЫ
AD812ANZ	2 Операционный усилитель бипл., ОС по току, 145 МГц, 1600 В/мкс, Uсм = 2 мВ, 15 ...	4-7 НЕДЕЛЬ	191
TECAP 10/35V D 10 (NTC-T106K35TRD) 10МКФ 35В		NTC	1 353	14.84
TECAP 10/35V D 10 (NTC-T106K35TRD) 10МКФ 35В		1812
ГТ308Б			89	30.24
ГТ308Б			89	30.24
ГТ308Б		НАЛЬЧИК	1 089	8.48
ГТ308Б		МИНСК
ГТ308Б		13
К73-17-0.15МКФ- 63В (С-ВАР.2)		СЕВЕРОЗАДОНСК
КТ814В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный		80	11.52
КТ814В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	КРЕМНИЙ	400	32.79
КТ814В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	МИНСК	120	21.20
КТ814В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	БРЯНСК	61 186	33.92
КТ814В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	RUS
КТ814В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ
КТ814В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	САРАНСК
КТ814В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	31985
КТ814В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	44836