2200МКФ10В(10X21)105°C

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BZV55-C3V3.115	Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В	NXP
BZV55-C3V3.115	Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В	NEX-NXP	110 779	1.20
BZV55-C3V3.115	Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В
GSIB2560-E3/45		VISHAY	297	208.07
GSIB2560-E3/45		Vishay/General Semiconductor
GSIB2560-E3/45		GENERAL SEMICONDUCTOR	300
GSIB2560-E3/45
SK02-111006NL		SK
SK02-111006NL		SAK	5 173	164.69
SK02-111006NL		TWN
SK02-111006NL		ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
SK02-111006NL		КИТАЙ
SK02-111006NL
SK02-111006NL		ТАЙВАНЬ
SK02-111006NL		KLS
UC3842BN	ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8	ST MICROELECTRONICS	4 565	40.51
UC3842BN	ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8	UTC
UC3842BN	ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8		3	128.52
UC3842BN	ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8	STMicroelectronics
UC3842BN	ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8	ON Semiconductor
UC3842BN	ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8	КИТАЙ
UC3842BN	ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8	ST MICROELECTRO
UC3842BN	ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8	1
UC3842BN	ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8	4-7 НЕДЕЛЬ	60
КТ315Д ЖЕЛТ.	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, для ...
КТ315Д ЖЕЛТ.	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, для ...	НАЛЬЧИК	9 848	2.10