AO3400
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26.5 mOhm @ 5.7A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 5.7A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 13nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1100pF @ 15V |
| Power - Max | 1.4W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CH32V203C8T6 | WCH | 2 024 | 47.08 | |||||
| CH32V203C8T6 |
|
|
||||||
| CH32V203C8T6 | 4-7 НЕДЕЛЬ | 440 |
|
|||||
| CH32V203C8T6 | NANJING QINHENG MICROELECTRONICS CO.,LTD |
|
|
|||||
| LM2664M6/NOPB | NATIONAL SEMICONDUCTOR | 2 | 136.82 | |||||
| LM2664M6/NOPB |
|
156.80 | ||||||
| LM2664M6/NOPB | NSC |
|
|
|||||
| LM2664M6/NOPB | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| LM2664M6/NOPB | TEXAS |
|
|
|||||
| LM2664M6/NOPB | TEXAS INSTRUMENTS | 66 | 29.04 | |||||
| LM2664M6/NOPB | 4-7 НЕДЕЛЬ | 664 |
|
|||||
| SIM800C | SIMCOM | 3 139 | 502.11 | |||||
| SIM800C |
|
|
||||||
| SIM800C | SIMCOM WIRELESS SOLUTIONS CO., LTD | 152 | 483.27 | |||||
| ЧИП 1206-10 КОМ-1% | 2 742 | 3.78 | ||||||
| ЧИП 1206-47 КОМ-1% | 3 014 | 3.78 |
