Версия для печати
Технические характеристики AD8221ARZ-R7

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Тип усилителя	Instrumentation
Число каналов	1
Скорость нарастания выходного напряжения	2 V/µs
Полоса пропускания -3Дб	825kHz
Ток - входного смещения	500pA
Напряжение входного смещения	60µV
Ток выходной	900µA
Ток выходной / канал	18mA
Напряжение-выходное, Single/Dual (±)	4.6 V ~ 36 V, ±2.3 V ~ 18 V
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SOIC

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Обработка сигналов

 » 

Усилители

 » 

Операционные, буферные усилители

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		15EDGRC-3.5-04P-14-00AH			DEGSON ELECTRONICS
		15EDGRC-3.5-04P-14-00AH
		3296W-25К		Резистор переменный подстроечный непроволочный многооборотный	CHINA
		3296W-25К		Резистор переменный подстроечный непроволочный многооборотный	CHINA NATIONAL
		3296W-25К		Резистор переменный подстроечный непроволочный многооборотный			17.72
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)		16	45.36
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS	121	16.80
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTRONICS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИНДИЯ
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	PILIPINES
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRO
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHANGJIANG
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	KLS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	HOTTECH	702	10.86
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHINA
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	JSCJ	8 532	6.07
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИМОРТ
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	NXP	560	3.58
		CD4093BM96		CMOS BCD-to-Decimal or Binary-to-Octal Decoders/	TEXAS INSTRUMENTS	4 099	21.60
		CD4093BM96		CMOS BCD-to-Decimal or Binary-to-Octal Decoders/
		CD4093BM96		CMOS BCD-to-Decimal or Binary-to-Octal Decoders/	TEXAS INSTRUMEN
		CD4093BM96		CMOS BCD-to-Decimal or Binary-to-Octal Decoders/	TEXAS
		CD4093BM96		CMOS BCD-to-Decimal or Binary-to-Octal Decoders/	TEXASINSTRUMENTS
		CD4093BM96		CMOS BCD-to-Decimal or Binary-to-Octal Decoders/	4-7 НЕДЕЛЬ	373
		LM235Z		=LM235=К1019ЕМ1 -40+125 TO92, Датчик температуры	ST MICROELECTRONICS	22 176	114.46
		LM235Z		=LM235=К1019ЕМ1 -40+125 TO92, Датчик температуры
		LM235Z		=LM235=К1019ЕМ1 -40+125 TO92, Датчик температуры	STMicroelectronics
		LM235Z		=LM235=К1019ЕМ1 -40+125 TO92, Датчик температуры	ST MICROELECTRONICS SEMI
		LM235Z		=LM235=К1019ЕМ1 -40+125 TO92, Датчик температуры	4-7 НЕДЕЛЬ	384

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"