SS19

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
SS19 (YJ)	14 704	1.06
SS19	39 200	1.47
SS19 (ONSEMI)	1	2.31

Версия для печати

Технические характеристики SS19

Скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type	Schottky
Current - Reverse Leakage @ Vr	200µA @ 90V
Current - Average Rectified (Io)	1A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	90V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	850mV @ 1A
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Корпус	SMA
Корпус (размер)	DO-214AC, SMA
Тип монтажа	Поверхностный

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

1SS196 (Переключающие диоды)

Diode (ultra High Speed Switching Application)

Производитель:
Toshiba Semiconductor
//www.semicon.toshiba.co.jp

SS19 datasheet
129.57Kb
2стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BH2-10R
BH2-10R		KLS
CERCAP 0.082/16V 0603 KX7R	Керамический конденсатор 0.082 мкФ 16 В	YAGEO
EXB-28V101JX		Panasonic - ECG
EXB-28V101JX			2
IDCC-24		BM
IDCC-24
IDCC-24		ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
TMR 1211	DC/DC преобразователь мощностью 2 Вт, вход 9:18В, стабил. выход 5В/400мА, изоляция ...	TRACO	29	3 206.13
TMR 1211	DC/DC преобразователь мощностью 2 Вт, вход 9:18В, стабил. выход 5В/400мА, изоляция ...			1 584.00