STB23NM50N


Купить STB23NM50N ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
STB23NM50N MOSFET N-CH 500V 17A D2PAK MOSFET N-CH 500V 17A D2PAK
Версия для печати

Технические характеристики STB23NM50N

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияMDmesh™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs190 mOhm @ 8.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C17A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs45nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds1330pF @ 50V
Power - Max125W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
КорпусD2PAK
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


STB23NM50N datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход