|
Версия для печати
| POUT,Вт | 1 |
| VIN,В | от 10.8 до 13.2 |
| VISO,В | 1000 |
| КПД,% | 71 |
| Выход: UВЫХ1,В | 5 |
| Выход: IВЫХ1,мА | 200 |
| TA,°C | от -40 до 85 |
| Размеры: Д,мм | 11.5 |
| Размеры: Ш,мм | 6 |
| Размеры: В,мм | 10.2 |
| Корпус | SIP-4 |
|
TME 1205S (DC-DC модули) DC/DC конвертер серии TME мощностью 1 Ватт, нерегулируемый выход
Производитель:
|
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
2SK2545 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 6A, 40W) | TOSHIBA | 80 | 120.96 | |
|
|
|
2SK2545 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 6A, 40W) | 1 | 226.80 | ||
|
|
|
2SK2545 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 6A, 40W) | TOS |
|
|
|
|
|
|
2SK2545 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 6A, 40W) | МАЛАЙЗИЯ |
|
|
|
|
|
|
2SK2545 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 6A, 40W) | JAPAN |
|
|
|
|
|
|
LT1072CS8#TR |
|
Linear Technology |
|
|
||
| SQM, 5 W 4.7 OHM | КИТАЙ |
|
|
|||||
| ST485BDR | ST MICROELECTRONICS | 4 771 | 29.14 | |||||
| ST485BDR | 1 608 | 45.54 | ||||||
| ST485BDR | STMicroelectronics |
|
|
|||||
| ST485BDR | ST MICROELECTRO |
|
|
|||||
| ST485BDR | STMICROELECTR |
|
|
|||||
| ST485BDR | 4-7 НЕДЕЛЬ | 200 |
|