SI4401DDY-T1-GE3

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
SI4401DDY-T1-GE3 (VISHAY)	280	48.13
SI4401DDY-T1-GE3 (VBSEMI)	5 856	18.20

MOSFET P-CH 40V 8-SOIC

Версия для печати

Технические характеристики SI4401DDY-T1-GE3

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	TrenchFET®
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	15 mOhm @ 10.2A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	16.1A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	95nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	3007pF @ 20V
Power - Max	6.3W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SOICN

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.