SI4178DY-T1-GE3

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
SI4178DY-T1-GE3 (SILICONIX.)	22	3-4 недели Цена по запросу

MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC

Версия для печати

Технические характеристики SI4178DY-T1-GE3

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	TrenchFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	21 mOhm @ 8.4A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	12A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	12nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	405pF @ 15V
Power - Max	5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SOICN

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.