SI4178DY-T1-GE3
|
MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | TrenchFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21 mOhm @ 8.4A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 12A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 405pF @ 15V |
| Power - Max | 5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SOICN |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GRM188R61A226ME15D | MUR | 123 160 | 1.08 | |||||
| GRM188R61A226ME15D | MURATA | 320 | 7.07 | |||||
| GRM188R61A226ME15D |
|
|
||||||
| L293DD013TR | ST MICROELECTRONICS | 168 | 196.31 | |||||
| L293DD013TR | ST MICROELECTRONICS SEMI |
|
|
|||||
| L293DD013TR | STMicroelectronics |
|
|
|||||
| L293DD013TR | 847 | 207.96 | ||||||
| L293DD013TR | 4-7 НЕДЕЛЬ | 31 |
|
|||||
| RC0402FR-0710RL |
|
Резистор, Типор-р 0402, Р,Вт 0,063, R 10 Ом, Точ,% 1, ТКС 200, | YAGEO | 245 024 |
0.60 >1000 шт. 0.12 |
|||
| RC0402FR-0710RL |
|
Резистор, Типор-р 0402, Р,Вт 0,063, R 10 Ом, Точ,% 1, ТКС 200, | YAGEO | 14 544 |
|
|||
| RC0402FR-0710RL |
|
Резистор, Типор-р 0402, Р,Вт 0,063, R 10 Ом, Точ,% 1, ТКС 200, |
|
|
||||
| RC0402FR-07120RL | YAGEO | 462 476 |
0.40 >1000 шт. 0.08 |
|||||
| RC0402FR-07120RL | YAGEO | 6 153 |
|
|||||
| RC0402FR-07120RL |
|
|
||||||
| RC0402FR-071KL | YAGEO | 3 327 |
0.40 >1000 шт. 0.08 |
|||||
| RC0402FR-071KL | YAGEO | 6 666 |
|
|||||
| RC0402FR-071KL |
|
|
