SI4178DY-T1-GE3
|
MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | TrenchFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21 mOhm @ 8.4A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 12A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 405pF @ 15V |
| Power - Max | 5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SOICN |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AP2210N-3.3TRG1 | DIODES |
|
|
|||||
| AP2210N-3.3TRG1 |
|
|
||||||
| AP2210N-3.3TRG1 | 4-7 НЕДЕЛЬ | 144 |
|
|||||
| M20-6102045 | HARW | 529 | 476.21 | |||||
| M20-6102045 | 1 |
|
||||||
| M20-6102045 | HARWIN |
|
|
|||||
| RC0402FR-07200KL | YAGEO | 369 104 |
0.40 >1000 шт. 0.08 |
|||||
| RC0402FR-07200KL | YAGEO | 27 825 |
|
|||||
| RC0402FR-07200KL |
|
|
||||||
| RC0805JR-070RL | YAGEO | 1 082 372 |
1.00 >1000 шт. 0.20 |
|||||
| RC0805JR-070RL | PHYCOMP |
|
|
|||||
| RC0805JR-070RL | PHYCOMP |
|
|
|||||
| RC0805JR-070RL | YAGEO | 7 500 |
|
|||||
| RC0805JR-070RL |
|
|
||||||
 |
 |
TAJE227K016RNJ |
|
AVX Corporation |
|
|
||
|
|
|
TAJE227K016RNJ |
|
AVX | 1 016 | 84.64 | ||
|
|
|
TAJE227K016RNJ |
|
|
|
|||
|
|
|
TAJE227K016RNJ |
|
|
|
|||
|
|
|
TAJE227K016RNJ |
|
KYOCERA-AVX |
|
|
