SI3457CDV-T1-E3


Купить SI3457CDV-T1-E3 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
SI3457CDV-T1-E3 MOSFET P-CH 30V 5.1A 6-TSOP MOSFET P-CH 30V 5.1A 6-TSOP
Версия для печати

Технические характеристики SI3457CDV-T1-E3

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияTrenchFET®
FET TypeMOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs74 mOhm @ 4.1A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C5.1A
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs15nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds450pF @ 15V
Power - Max3W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)6-TSOP (0.065", 1.65mm Width)
Корпус6-TSOP
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


SI3457CDV-T1-E3 datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход