SI3443CDV-T1-GE3

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
SI3443CDV-T1-GE3 (SILICONIX.)	358	3-4 недели Цена по запросу

MOSFET P-CH 20V 5.97A 6TSOP

Версия для печати

Технические характеристики SI3443CDV-T1-GE3

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	TrenchFET®
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60 mOhm @ 4.7A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	5.97A
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	12.4nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	610pF @ 10V
Power - Max	3.2W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	6-TSOP (0.065", 1.65mm Width)
Корпус	6-TSOP

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

SI3443CDV-T1-GE3 datasheet