SI2343CDS-T1-GE3

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
SI2343CDS-T1-GE3 (VISHAY)	1 076	17.64
SI2343CDS-T1-GE3 (VBSEMI)	16 876	4.33

MOSFET P-CH 30V SOT-23

Версия для печати

Технические характеристики SI2343CDS-T1-GE3

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	TrenchFET®
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	45 mOhm @ 4.2A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	5.9A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	21nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	590pF @ 15V
Power - Max	2.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SOT-23-3 (TO-236)

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.