Версия для печати
Технические характеристики RC2512JK-0751RL

Производитель	Yageo Corporation
Номинальное сопротивление	51 Ом
Допуск сопротивления	±5%
Номинальная мощность	1 Вт
Тип монтажа	SMD_2512
Размер корпуса	6.3x3.2x0.6 мм
Рабочая температура	-55...155 °C
	General purpose thick film

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BC807-16,215			NXP Semiconductors
		BC807-16,215			NXP/PHILIPS
		BC807-16,215			NXP
		BC807-16,215			NEX
		BC807-16,215				4
		BC807-16,215			NEX-NXP	7	4.13
		BYG20J-E3/TR		Диод импульсный 600В, 1.5А, 0.075мкс	VISHAY
		BYG20J-E3/TR		Диод импульсный 600В, 1.5А, 0.075мкс	Vishay/General Semiconductor
		BYG20J-E3/TR		Диод импульсный 600В, 1.5А, 0.075мкс	VISHAY
		BYG20J-E3/TR		Диод импульсный 600В, 1.5А, 0.075мкс		440	10.24
		BZX84-C5V1,215		Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V	NXP Semiconductors
		BZX84-C5V1,215		Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V	NXP
		BZX84-C5V1,215		Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V	NEX
		CR0805-FX-1001ELF			BOURNS	2 095 026	2.66
		CR0805-FX-1001ELF				7
		IRF540NSPBF		Силовой МОП-Транзистор N-кан Vси = 100 В, Rоткр = 0.052 Ом, Id(25°C) = 33 A	INTERNATIONAL RECTIFIER	655	74.20
		IRF540NSPBF		Силовой МОП-Транзистор N-кан Vси = 100 В, Rоткр = 0.052 Ом, Id(25°C) = 33 A	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF540NSPBF		Силовой МОП-Транзистор N-кан Vси = 100 В, Rоткр = 0.052 Ом, Id(25°C) = 33 A	INFINEON
		IRF540NSPBF		Силовой МОП-Транзистор N-кан Vси = 100 В, Rоткр = 0.052 Ом, Id(25°C) = 33 A

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"