PHK04P02T,518


Купить PHK04P02T,518 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
PHK04P02T,518 MOSFET P-CH 16V 4.66A 8-SOIC MOSFET P-CH 16V 4.66A 8-SOIC
Версия для печати

Технические характеристики PHK04P02T,518

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET TypeMOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs120 mOhm @ 1A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)16V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C4.66A
Vgs(th) (Max) @ Id600mV @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs7.2nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds528pF @ 12.8V
Power - Max5W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус8-SO
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


PHK04P02T,518 datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход