PESD12VS2UT,215
|
DIODE DUAL ESD PROTECTION SOT23 |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 12V |
| Voltage - Breakdown | 14.7V |
| Мощность (Ватт) | 180W |
| Polarization | 2 Channel Array - Unidirectional |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
IRF7410 |
|
Hexfet power mosfets discrete p-channel | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRF7410 |
|
Hexfet power mosfets discrete p-channel |
|
90.80 | ||
|
|
|
IRF7410 |
|
Hexfet power mosfets discrete p-channel | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRF7410 |
|
Hexfet power mosfets discrete p-channel | КИТАЙ |
|
|
|
|
|
|
IRF7410 |
|
Hexfet power mosfets discrete p-channel | INFINEON |
|
|
|
|
|
|
IRF7410 |
|
Hexfet power mosfets discrete p-channel | EVVO | 2 131 | 9.40 | |
| L6924D013TR | ST MICROELECTRONICS | 148 | 138.09 | |||||
| L6924D013TR | ST MICROELECTRONICS SEMI |
|
|
|||||
| L6924D013TR | STMicroelectronics |
|
|
|||||
| L6924D013TR | 776 | 106.37 | ||||||
| L6924D013TR | 4-7 НЕДЕЛЬ | 612 |
|
|||||
| NX3225GA-26MHZ | NDK | 2 625 | 30.78 | |||||
| NX3225GA-26MHZ |
|
|
||||||
| STBB1-APUR | 332 | 184.17 | ||||||
| STBB1-APUR | ST MICROELECTRONICS | 455 | 193.48 | |||||
| STBB1-APUR | 332 | 184.17 | ||||||
| STBB1-APUR | STMICROELECTRONICS | 927 | 142.13 | |||||
| STBB1-APUR | 4-7 НЕДЕЛЬ | 592 |
|
|||||
| STM32F207VGT6 | ST MICROELECTRONICS | 360 | 1 184.54 | |||||
| STM32F207VGT6 | STMicroelectronics |
|
|
|||||
| STM32F207VGT6 | 76 | 1 537.41 | ||||||
| STM32F207VGT6 | МАЛАЙЗИЯ |
|
|
|||||
| STM32F207VGT6 | 76 | 1 537.41 | ||||||
| STM32F207VGT6 | 4-7 НЕДЕЛЬ | 670 |
|
