NTHS4166NT1G

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
NTHS4166NT1G (ON SEMICONDUCTOR.)	914	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики NTHS4166NT1G

Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	4.9A
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	22 mOhm @ 4.9A, 10V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Vgs(th) (Max) @ Id	2.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	9.2nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	900pF @ 15V
Power - Max	800mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-ChipFET™
Корпус	ChipFET

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.