NTF3055L108T1G
N-канальный полевой транзистор (MOSFET N-CH 60V 3A SOT223, -55 to , VDS,В 440pF @ 25V, ID 2V @ 250µA, Ptot,Вт 1.3W
|
Версия для печати
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 15nC @ 5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 1.5A, 5V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 440pF @ 25V |
| Power - Max | 1.3W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-261-4, TO-261AA |
| Корпус | SOT-223 |
| Product Change Notification | Specification Change MSL Updated 2/April/2007 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 78L08ABD13TR (L78L08ABD13TR) | ST MICROELECTRONICS | 1 972 | 10.50 | |||||
| MC78L12ABDR2G |
|
Стабилизатор напряжения +12V 0,1A | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||
| MC78L12ABDR2G |
|
Стабилизатор напряжения +12V 0,1A | ONS | 2 318 | 24.39 | |||
| MC78L12ABDR2G |
|
Стабилизатор напряжения +12V 0,1A | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||
| MC78L12ABDR2G |
|
Стабилизатор напряжения +12V 0,1A | ON SEMICONDUCTO |
|
|
|||
| MC78L12ABDR2G |
|
Стабилизатор напряжения +12V 0,1A |
|
|
||||
| MC78L12ABDR2G |
|
Стабилизатор напряжения +12V 0,1A | 4-7 НЕДЕЛЬ | 344 |
|
|||
| MF200J0R5T | FAITHFUL LINK |
|
|
|||||
| SA555DR | TEXAS INSTRUMENTS | 13 | 9.44 | |||||
| SA555DR | TEXAS | 18 364 | 16.34 | |||||
| SA555DR | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||||
| SA555DR | 41 520 | 27.75 | ||||||
| SA555DR | TEXAS INSTRUMEN |
|
|
|||||
| SA555DR | YOUTAI | 38 653 | 5.55 | |||||
| SA555DR | 4-7 НЕДЕЛЬ | 332 |
|
|||||
| VCR14D471KAB | HITANO | 2 999 | 14.44 |
