|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 7.5V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 10mA |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 3µA @ 6V |
| Допустимые отклонения емкости | ±5% |
| Power - Max | 500mW |
| Impedance (Max) (Zzt) | 6 Ohm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | SOD-123 |
| Корпус | SOD-123 |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C |
| Product Change Notification | Wire Change 08/Jun/2009 |
| Tolerance | ±5% |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ECAP 100/35V 0811 105C SH |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 35 В | YAGEO |
|
|
|||
| HCPL-3120-300E | AVAGO |
|
|
|||||
| HCPL-3120-300E | Avago Technologies US Inc |
|
|
|||||
| HCPL-3120-300E |
|
|
||||||
| HCPL-3120-300E | AVAGO TECHNOLOGIES | 70 |
|
|||||
| HCPL-3120-300E | BRO/AVAG | 56 | 197.72 | |||||
| HCPL-3120-300E | BROADCOM |
|
|
|||||
| HCPL-3120-300E | 4-7 НЕДЕЛЬ | 131 |
|
|||||
| MMSZ5231BT1G | ON SEMICONDUCTOR | 21 | 2.00 | |||||
| MMSZ5231BT1G | ONS |
|
|
|||||
| MMSZ5231BT1G | ON SEMICONDUCTOR | 600 |
|
|||||
| MMSZ5231BT1G |
|
|
||||||
| MMSZ5V1T1G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| MMSZ5V1T1G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| MMSZ5V1T1G |
|
|
||||||
| MMSZ5V1T1G | ONS | 921 | 2.19 | |||||
| ЧИП 2010 2.7К 5% | KOME |
|
|
|||||
| ЧИП 2010 2.7К 5% | YAGEO |
|
|