MMBT6427LT1G

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
MMBT6427LT1G (ON SEMICONDUCTOR.)	5 357	3-4 недели Цена по запросу
MMBT6427LT1G (ONS)	2 316	12.27

TRANS SS DARL NPN 40V SOT23

Версия для печати

Технические характеристики MMBT6427LT1G

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Product Change Notification	Possible Adhesion Issue 11/July/2008
Transistor Type	NPN - Darlington
Current - Collector (Ic) (Max)	500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1.5V @ 500µA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max)	1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	20000 @ 100mA, 5V
Power - Max	225mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SOT-23-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

MMBT6427LT1G datasheet