MJD45H11T4G
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | PNP |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 8A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 400mA, 8A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 4A, 1V |
| Power - Max | 1.75W |
| Frequency - Transition | 90MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | DPAK-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
MJD45H11 (Мощные биполярные транзисторы) SILICON POWER TRANSISTORS 8 AMPERES 80 VOLTS 20 WATTS Также в этом файле: MJD45H11T4G
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
IRF7452 |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRF7452 |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel |
|
221.60 | ||
|
|
|
IRF7452 |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel | INFINEON |
|
|
|
|
|
|
IRF7452 |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel | IR/VISHAY | 8 | 108.90 | |
|
|
IRF9392PBF |
|
International Rectifier |
|
|
|||
| MJD44H11T4G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| MJD44H11T4G | ONS | 5 804 | 47.63 | |||||
| MJD44H11T4G | ON SEMIC |
|
|
|||||
| MJD44H11T4G | ON SEMICONDUCTOR | 480 |
|
|||||
| MJD44H11T4G | ONSEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| MJD44H11T4G | 1 442 | 18.28 | ||||||
| ТП112-11 (ТП132-11) | RUS |
|
|
|||||
| ТП112-11 (ТП132-11) | НПК-КОМПЛЕКС |
|
|
|||||
| ТП112-11 (ТП132-11) | КОМПЛЕКС |
|
|
