Версия для печати
Технические характеристики KX-7T 12.0 MHz

Производитель	Geyer Electronic e.K.
Частота	12 МГц
Гармоника	1
Шунтирующая емкость	5 пФ
Нагрузочная ёмкость	12 пФ
Стабильность при 25°C	30 ppm
Монтаж	SMD
Размер корпуса	3.2x2.5x0.7 мм
Рабочая температура	-40...85 °C

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1206-33 5%		ЧИП — резистор		40	0.96  >500 шт.   0.32
		CRCW12061K00FKEA		Чип резистор 0.25Вт, 1206, 1кОм, (1%) e3	VISHAY
		CRCW12061K00FKEA		Чип резистор 0.25Вт, 1206, 1кОм, (1%) e3	VISHAY
		CRCW12061K00FKEA		Чип резистор 0.25Вт, 1206, 1кОм, (1%) e3	Vishay/Dale
		CRCW12061K00FKEA		Чип резистор 0.25Вт, 1206, 1кОм, (1%) e3
		IT-1187A (4X4X4.3)				256	3.75
		IT-1187A (4X4X4.3)				256	3.75
		SWT-7			BM	293	14.24
		SWT-7				5	13.58
		SWT-7			TYCO
		SWT-7			KLS
		SWT-7			RUICHI
		КТ3130А9		Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц			12.68
		КТ3130А9		Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц	ДАЛЕКС
		КТ3130А9		Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц	RUS
		КТ3130А9		Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц	ООО "НПК"ДАЛЕКС" Г. АЛЕКСАНДРОВ
		КТ3130А9		Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц	АЛЕКСАНДРОВ
		КТ3130А9		Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц	ИНТЕГРАЛ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"