KX-7T 12.0 MHz

Версия для печати

Технические характеристики KX-7T 12.0 MHz

Производитель	Geyer Electronic e.K.
Частота	12 МГц
Гармоника	1
Шунтирующая емкость	5 пФ
Нагрузочная ёмкость	12 пФ
Стабильность при 25°C	30 ppm
Монтаж	SMD
Размер корпуса	3.2x2.5x0.7 мм
Рабочая температура	-40...85 °C

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
1206-68 5%	ЧИП — резистор		232	0.96 >500 шт. 0.32
CRCW12061K00FKEA	Чип резистор 0.25Вт, 1206, 1кОм, (1%) e3	VISHAY
CRCW12061K00FKEA	Чип резистор 0.25Вт, 1206, 1кОм, (1%) e3	VISHAY
CRCW12061K00FKEA	Чип резистор 0.25Вт, 1206, 1кОм, (1%) e3	Vishay/Dale
CRCW12061K00FKEA	Чип резистор 0.25Вт, 1206, 1кОм, (1%) e3
IT-1187A (4X4X4.3)			3 116	3.75
IT-1187A (4X4X4.3)			3 116	3.75
SWT-34	Кнопка тактовая 12В, 50мА	BM	304	8.89
SWT-34	Кнопка тактовая 12В, 50мА			20.00
SWT-34	Кнопка тактовая 12В, 50мА	TYCO
SWT-34	Кнопка тактовая 12В, 50мА	CHIFUNG
SWT-34	Кнопка тактовая 12В, 50мА	ТАЙВАНЬ
SWT-34	Кнопка тактовая 12В, 50мА	KLS
SWT-34	Кнопка тактовая 12В, 50мА	CHINA
КТ815А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...		138	32.20
КТ815А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...	КРЕМНИЙ	800	28.35
КТ815А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...	БРЯНСК	588	37.80
КТ815А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...	МИНСК
КТ815А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...	ИНТЕГРАЛ
КТ815А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...	ТРАНЗИСТОР