IXTP3N120


High voltage power mosfets

IXTP3N120 (заказ)
IXTP3N120

Технические характеристики IXTP3N120

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияHiPerFET™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.5 Ohm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C3A
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs42nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds1350pF @ 25V
Power - Max200W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-220-3
КорпусTO-220
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.kontest.ru