|
Версия для печати
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.9 mOhm @ 25A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 58A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 16nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1350pF @ 15V |
| Power - Max | 55W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | D-Pak |
|
IRLR8729PbF (MOSFET) 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET
Производитель:
|
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IHLP2525CZER4R7M01 | VISHAY | 1 845 | 46.67 | |||||
| IHLP2525CZER4R7M01 |
|
168.00 | ||||||
| IHLP2525CZER4R7M01 | VISHAY |
|
|
|||||
| IHLP2525CZER4R7M01 | Vishay/Dale |
|
|