|
|
Версия для печати
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.7 mOhm @ 25A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 81A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 15nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1470pF @ 13V |
| Power - Max | 63W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | D-Pak |
|
IRLR8256PbF (MOSFET) 25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package
Производитель:
|
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SC1983 |
|
Биполярный транзистор | SAMSUNG |
|
|
|||
| 2SC1983 |
|
Биполярный транзистор |
|
53.36 | ||||
| 2С218Ж | 80 | 33.12 | ||||||
| 2С218Ж | НЗПП |
|
|
|||||
| 2С218Ж | НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП |
|
|
|||||
| 2С218Ж | НОВОСИБИРСК | 1 | 12.60 | |||||
| 2С218Ж | RUS |
|
|
|||||
|
|
BZX84-C47 | NXP |
|
|
||||
|
|
BZX84-C47 | PHILIPS |
|
|
||||
|
|
BZX84-C47 | NXP | 3 218 |
|
||||
|
|
BZX84-C47 | PHILIPS |
|
|
||||
|
|
|
IRF7413 |
|
Транзистор полевой SMD N-MOS 30V, 13A, 2.5W | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRF7413 |
|
Транзистор полевой SMD N-MOS 30V, 13A, 2.5W | 4 651 | 23.51 | ||
|
|
|
IRF7413 |
|
Транзистор полевой SMD N-MOS 30V, 13A, 2.5W | INTERNATIONAL RECTIFIER | 189 |
|
|
|
|
|
IRF7413 |
|
Транзистор полевой SMD N-MOS 30V, 13A, 2.5W | ФИЛИППИНЫ |
|
|
|
|
|
|
IRF7413 |
|
Транзистор полевой SMD N-MOS 30V, 13A, 2.5W | INFINEON |
|
|
|
|
|
|
IRF7413 |
|
Транзистор полевой SMD N-MOS 30V, 13A, 2.5W | 1 |
|
|
|
|
|
|
IRF7413 |
|
Транзистор полевой SMD N-MOS 30V, 13A, 2.5W | EVVO | 27 144 | 6.21 | |
| T73 12VDC (833H) 10A | 8 885 | 30.33 | ||||||
| T73 12VDC (833H) 10A | КИТАЙ |
|
|
|||||
| T73 12VDC (833H) 10A | RUICHI |
|
|