IRLR8256PbF
Транзистор МОП N-канальный 25V 81A 63W DPAK
|
|
Версия для печати
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.7 mOhm @ 25A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 81A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 15nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1470pF @ 13V |
| Power - Max | 63W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | D-Pak |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRLR8256PbF (MOSFET) 25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2С218Ж |
|
28.24 | ||||||
| 2С218Ж | НЗПП |
|
|
|||||
| 2С218Ж | НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП |
|
|
|||||
| 2С218Ж | НОВОСИБИРСК | 1 | 12.60 | |||||
| 2С218Ж | RUS |
|
|
|||||
| IRLR8726 | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|||||
| IRLR8726 | 712 | 12.52 | ||||||
| IRLR8726 | INFINEON |
|
|
|||||
| IRLR8726 | EVVO |
|
|
|||||
| T73 12VDC (833H) 10A | 12 537 | 30.33 | ||||||
| T73 12VDC (833H) 10A | КИТАЙ |
|
|
|||||
| T73 12VDC (833H) 10A | RUICHI |
|
|
|||||
| ЛТИ-120 ФЛЮС НЕЙТРАЛЬНЫЙ, 30МЛ, С КАПЕЛЬНИЦЕЙ |
|
|
||||||
| ФЛЮС KESTER 959T БЕЗОТМЫВ. (30МЛ) |
|
|
