IRLL024NPBF
N-канальный 55В 3.1А
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 3.1A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3.1A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 15.6nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 510pF @ 25V |
| Power - Max | 1W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-261-4, TO-261AA |
| Корпус | SOT-223 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 3314G-1-102 |
|
Резистор подстроечный однооборотный | BOURNS |
|
|
|||
| 3314G-1-102 |
|
Резистор подстроечный однооборотный |
|
101.04 | ||||
| 3314G-1-102 |
|
Резистор подстроечный однооборотный | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
|||
| 3314G-1-102 |
|
Резистор подстроечный однооборотный | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|||
| 3314G-1-203 |
|
Резистор подстроечный однооборотный | BOURNS |
|
|
|||
| 3314G-1-203 |
|
Резистор подстроечный однооборотный |
|
101.04 | ||||
| 3314G-1-203 |
|
Резистор подстроечный однооборотный | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
|||
| 3314G-1-203 |
|
Резистор подстроечный однооборотный | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|||
 |
 |
MRF49XA-I/ST |
|
Радиотрансивер 433-930MHz | MICRO CHIP |
|
|
|
|
|
|
MRF49XA-I/ST |
|
Радиотрансивер 433-930MHz | Microchip Technology |
|
|
|
|
|
|
MRF49XA-I/ST |
|
Радиотрансивер 433-930MHz |
|
1 148.80 | ||
|
|
|
MRF49XA-I/ST |
|
Радиотрансивер 433-930MHz | MICRO CHIP |
|
|
|
|
|
|
MRF49XA-I/ST |
|
Радиотрансивер 433-930MHz | 4-7 НЕДЕЛЬ | 357 |
|
|
| PH 07M 2.0MM | AUK |
|
|
|||||
| PH 07M 2.0MM |
|
|
||||||
| PH 07M 2.0MM | CONNFLY |
|
|
|||||
| PH 07MR 2.0MM | AUK |
|
|
|||||
| PH 07MR 2.0MM |
|
|
||||||
| PH 07MR 2.0MM | KLS |
|
|
