IRL630PBF

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRL630PBF (SILICONIX.)	240	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики IRL630PBF

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	400 mOhm @ 5.4A, 5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	9A
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	40nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1100pF @ 25V
Power - Max	74W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRL630PBF (MOSFET)

HEXFET® Power MOSFET

Производитель:
Vishay

IRL630PBF datasheet
1.3 Мб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
IRF9640PBF	P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт.	VISHAY	3 360	90.75
IRF9640PBF	P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт.
IRF9640PBF	P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт.	Vishay/Siliconix
IRF9640PBF	P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт.	VISHAY/IR
IRF9640PBF	P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт.	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF9640PBF	P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт.	0.00