|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| IGBT Type | Trench |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 30A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 85A |
| Power - Max | 320W |
| Тип входа | Standard |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-247-3 (TO-247AC) |
| Корпус | TO-247AC |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
B1250T |
|
Предохранитель телеком. 1, 25A/600V | BOURNS |
|
|
||
|
|
B1250T |
|
Предохранитель телеком. 1, 25A/600V | 4 | 126.00 | |||
|
|
B1250T |
|
Предохранитель телеком. 1, 25A/600V | Bourns Inc |
|
|
||
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц |
|
1 133.24 | ||
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц | МЕКСИКА |
|
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц | INFINEON |
|
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц | IR/VISHAY | 20 | 871.20 | |
| IXDD604SI | IXYS | 4 | 260.14 | |||||
| IXDD604SI | Clare |
|
|
|||||
| IXDD604SI | CPC |
|
|
|||||
| IXDD604SI |
|
|
||||||
| IXDD604SI | 4-7 НЕДЕЛЬ | 80 |
|
|||||
| S3M-E3/57T | GENERAL SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| S3M-E3/57T |
|
|
||||||
| S3M-E3/57T | GENERAL SEMICONDUCTOR | 496 |
|
|||||
| S3M-E3/57T | Vishay/General Semiconductor |
|
|
|||||
| S3M-E3/57T | VISHAY |
|
|
|||||
| С5-5В-2 39 ОМ 1% |
|
|