IRFP4004PBF

Версия для печати

Технические характеристики IRFP4004PBF

Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.7 mOhm @ 195A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	195A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	330nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	8920pF @ 25V
Power - Max	380W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247-3 (TO-247AC)
Корпус	TO-247AC

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFP4004PbF (MOSFET)

HEXFET Power MOSFET

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRFP4004PBF datasheet
295.1 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
GRM32DR72J473KW01L	Керамический конденсатор 0.047 мкФ 630 В	MURATA
GRM32DR72J473KW01L	Керамический конденсатор 0.047 мкФ 630 В	MURATA
GRM32DR72J473KW01L	Керамический конденсатор 0.047 мкФ 630 В			33.32
GRM32DR72J473KW01L	Керамический конденсатор 0.047 мкФ 630 В	Murata Electronics North America
GRM32DR72J473KW01L	Керамический конденсатор 0.047 мкФ 630 В	MUR	40 057	9.93
SQP 3W 8.2 5%
SQP 3W 8.2 5%		КИТАЙ
SQP-15W1R (15ВТ,1 ,5%)
SS8050	Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz	SAMSUNG
SS8050	Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz		5 709	1.54 >100 шт. 0.77
SS8050	Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz	CJ	352	1.22 >100 шт. 0.61
SS8050	Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz	YJ
SS8050	Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz	HOTTECH
SS8050	Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz	JSMSEMI
SS8050	Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz	KEEN SIDE	23 516	1.16 >100 шт. 0.58
SS8050	Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz	3000
SS8050	Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz	440
РП10-7 РОЗЕТКА			19 855	109.44
РП10-7 РОЗЕТКА		КОМ 5
РП10-7 РОЗЕТКА		СНЕЖЕТЬ
РП10-7 РОЗЕТКА		РОССИЯ