![]() |
|
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET Feature | Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200 mOhm @ 14A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 400V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 23A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 210nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 4500pF @ 25V |
Power - Max | 280W |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-247-3 |
Корпус | TO-247-3 |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
E55/28/21 N87 B66335 | EPCOS |
![]() |
![]() |
|||||
E55/28/21 N87 B66335 |
![]() |
260.00 | ||||||
![]() |
![]() |
E65/32/27 B66387-G-N87 СЕРД. |
![]() |
Сердечник ферритовый N85, 2200, 500 МГц | EPCOS |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
E65/32/27 B66387-G-N87 СЕРД. |
![]() |
Сердечник ферритовый N85, 2200, 500 МГц |
![]() |
508.48 | ||
![]() |
![]() |
IRG4PC50UD |
![]() |
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ... | INTERNATIONAL RECTIFIER |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
IRG4PC50UD |
![]() |
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ... |
![]() |
904.00 | ||
![]() |
![]() |
IRG4PC50UD |
![]() |
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ... | ФИЛИППИНЫ |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
IRG4PC50UD |
![]() |
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ... | INFINEON |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
IRG4PC50UD |
![]() |
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ... | IR/VISHAY |
![]() |
![]() |
|
К73-16-0.33МКФ 1000В (5%) |
![]() |
![]() |
|
Корзина
|