IRFL024NPBF
|
Версия для печати
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 18.3nC @ 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2.8A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75 mOhm @ 2.8A, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 400pF @ 25V |
| Power - Max | 1W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-261-4, TO-261AA |
| Корпус | SOT-223 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BTA208-600 | NXP |
|
|
|||||
| BTA208-600 |
|
|
||||||
| BTA208-600 |
|
|
||||||
 |
 |
CU3225K50G2 |
|
EPCOS Inc |
|
|
||
|
|
|
CU3225K50G2 |
|
EPCOS |
|
|
||
|
|
|
CU3225K50G2 |
|
|
|
|||
|
|
|
CU3225K50G2 |
|
TDK (EPCOS) |
|
|
||
|
|
P6SMB39A |
|
Защитный диод однонаправленный 600W 39V SMB | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
||
|
|
P6SMB39A |
|
Защитный диод однонаправленный 600W 39V SMB | TSC |
|
|
||
|
|
P6SMB39A |
|
Защитный диод однонаправленный 600W 39V SMB | 13 200 | 2.87 | |||
|
|
P6SMB39A |
|
Защитный диод однонаправленный 600W 39V SMB | Littelfuse Inc |
|
|
||
|
|
P6SMB39A |
|
Защитный диод однонаправленный 600W 39V SMB | LTL |
|
|
||
|
|
P6SMB39A |
|
Защитный диод однонаправленный 600W 39V SMB | LITTELFUSE | 816 | 17.93 | ||
| TD350E |
|
|
||||||
| TD350E | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||||
| TD350E | 4-7 НЕДЕЛЬ | 330 |
|
|||||
| TLP181GR-TPL[F] |
|
Оптрон с транзисторным выходом 1xCh 3,75kV Uce=50V If= 50mA Ton/Toff=2/3мкс | TOSHIBA |
|
|
|||
| TLP181GR-TPL[F] |
|
Оптрон с транзисторным выходом 1xCh 3,75kV Uce=50V If= 50mA Ton/Toff=2/3мкс |
|
18.76 | ||||
| TLP181GR-TPL[F] |
|
Оптрон с транзисторным выходом 1xCh 3,75kV Uce=50V If= 50mA Ton/Toff=2/3мкс | TOS |
|
|
