|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
10BQ040 |
|
SMD диод Шоттки Vrrm=40 В, Ifav=1A, корпус SMB
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
10BQ040 |
|
SMD диод Шоттки Vrrm=40 В, Ifav=1A, корпус SMB
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
10BQ040 |
|
SMD диод Шоттки Vrrm=40 В, Ifav=1A, корпус SMB
|
|
16 400
|
1.30
|
|
|
|
10BQ040 |
|
SMD диод Шоттки Vrrm=40 В, Ifav=1A, корпус SMB
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
10BQ040 |
|
SMD диод Шоттки Vrrm=40 В, Ifav=1A, корпус SMB
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
10BQ040 |
|
SMD диод Шоттки Vrrm=40 В, Ifav=1A, корпус SMB
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
16
|
|
|
|
|
10BQ040 |
|
SMD диод Шоттки Vrrm=40 В, Ifav=1A, корпус SMB
|
SMCMICRO
|
4 256
|
5.01
|
|
|
|
10BQ040 |
|
SMD диод Шоттки Vrrm=40 В, Ifav=1A, корпус SMB
|
HOTTECH
|
84 584
|
7.84
|
|
|
|
10BQ040 |
|
SMD диод Шоттки Vrrm=40 В, Ifav=1A, корпус SMB
|
KEENSIDE
|
1
|
3.46
|
|
|
|
10BQ040 |
|
SMD диод Шоттки Vrrm=40 В, Ifav=1A, корпус SMB
|
SENOCN
|
560
|
1.82
|
|
|
|
10BQ040 |
|
SMD диод Шоттки Vrrm=40 В, Ifav=1A, корпус SMB
|
INFINEON
|
3
|
10.08
|
|
|
|
10BQ040 |
|
SMD диод Шоттки Vrrm=40 В, Ifav=1A, корпус SMB
|
SUNMATE
|
300
|
5.22
|
|
|
|
1206-1.2 1% |
|
ЧИП — резистор
|
|
72
|
1.44
>500 шт. 0.48
|
|
|
|
GRM31CR71E106KA12L |
|
Керамический конденсатор 10 мкФ 25 В
|
MUR
|
103 656
|
3.82
|
|
|
|
GRM31CR71E106KA12L |
|
Керамический конденсатор 10 мкФ 25 В
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
GRM31CR71E106KA12L |
|
Керамический конденсатор 10 мкФ 25 В
|
|
|
|
|
|
|
GRM31CR71E106KA12L |
|
Керамический конденсатор 10 мкФ 25 В
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
GRM31CR71E106KA12L |
|
Керамический конденсатор 10 мкФ 25 В
|
MURATA
|
43 297
|
6.32
|
|
|
|
IRFL014NTRPBF |
|
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFL014NTRPBF |
|
|
INFINEON
|
2 602
|
39.28
|
|
|
|
IRFL014NTRPBF |
|
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFL014NTRPBF |
|
|
|
1 760
|
34.94
|
|
|
|
RLB0914-102KL |
|
Катушка индуктивности на ферритовом сердечнике экранированная 1мГн, 300мА, 10%, 2.1Ом
|
BOURNS
|
31 981
|
19.97
|
|
|
|
RLB0914-102KL |
|
Катушка индуктивности на ферритовом сердечнике экранированная 1мГн, 300мА, 10%, 2.1Ом
|
|
|
57.60
|
|