IRFD110PBF
Транзистор МОП N-канальный 100В 0,7A 1,3В
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 540 mOhm @ 600mA, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 1A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 8.3nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 180pF @ 25V |
| Power - Max | 1.3W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Корпус | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRFD110PBF (MOSFET) HEXFET® Power MOSFET
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2EDGVC-5.08-05P-14-00A(H) | DEGSON ELECTRONICS |
|
|
|||||
| 2EDGVC-5.08-05P-14-00A(H) |
|
|
||||||
 |
 |
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц |
|
1 133.24 | ||
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц | МЕКСИКА |
|
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц | INFINEON |
|
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц | IR/VISHAY | 16 | 1 200.48 | |
| MCC-Y5V-50-1 |
|
Керамический конденсатор 1 мкФ 50 В | HITANO |
|
|
|||
| MCC-Y5V-50-1 |
|
Керамический конденсатор 1 мкФ 50 В |
|
10.80 | ||||
| К10-17Б-680 М1500 5% |
|
Керамический конденсатор 680 пФ 50 В |
|
46.00 | ||||
| СВЕРЛО 1.5 ММ |
|
45.20 |
