|
Версия для печати
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5 mOhm @ 21A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 21A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 50µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 30nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 3175pF @ 15V |
| Power - Max | 2.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
|
IRF8734PbF (MOSFET) 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET
Производитель:
|
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DCP010512DBP-U |
|
DC/DC-Преобразователь изолированный 1W Uвых=+12V Iвых=0,040А | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||
| DCP010512DBP-U |
|
DC/DC-Преобразователь изолированный 1W Uвых=+12V Iвых=0,040А |
|
|
||||
| DCP010512DBP-U |
|
DC/DC-Преобразователь изолированный 1W Uвых=+12V Iвых=0,040А |
|
|
||||
| DCP010512DBP-U |
|
DC/DC-Преобразователь изолированный 1W Uвых=+12V Iвых=0,040А | TEXAS |
|
|
|||
| DCP010512DBP-U |
|
DC/DC-Преобразователь изолированный 1W Uвых=+12V Iвых=0,040А | 4-7 НЕДЕЛЬ | 800 |
|
|||
|
|
IR2104PBF |
|
Драйвер полумоста c одним входом U= 600V Io+ =0,13/0,27A t(on/of)= 680/150нс | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
||
|
|
IR2104PBF |
|
Драйвер полумоста c одним входом U= 600V Io+ =0,13/0,27A t(on/of)= 680/150нс |
|
|
|||
|
|
IR2104PBF |
|
Драйвер полумоста c одним входом U= 600V Io+ =0,13/0,27A t(on/of)= 680/150нс | INFINEON | 5 | 382.67 | ||
|
|
IR2104PBF |
|
Драйвер полумоста c одним входом U= 600V Io+ =0,13/0,27A t(on/of)= 680/150нс | 4-7 НЕДЕЛЬ | 184 |
|
||
| KXO-97 32.0 MHZ | GEYER ELECTRONIC |
|
|
|||||
| KXO-97 32.0 MHZ |
|
616.00 | ||||||
| KXO-97 32.0 MHZ | GEYER |
|
|