IRF7904PBF

Версия для печати

Технические характеристики IRF7904PBF

Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	2 N-Channel (Dual)
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	16.2 mOhm @ 7.6A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	7.6A, 11A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.25V @ 25µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	11nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	910pF @ 15V
Power - Max	1.4W, 2W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF7904PBF (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Dual N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRF7904PBF datasheet
256 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BH-40		BM
BH-40			113	44.40
BH-40		KLS
BH-40		CONNFLY
BH-40		NXU
BH-40		КИТАЙ	40	28.35
BU808DFH	Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ...	ST MICROELECTRONICS
BU808DFH	Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ...			182.40
BU808DFH	Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ...	ST MICROELECTRONICS SEMI
BU808DFH	Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ...	ST1
LAN8720A-CP-TR		MICRO CHIP	25 435	67.78
LAN8720A-CP-TR		MICRO CHIP	325
LAN8720A-CP-TR		STANDARD MICROSYSTEMS CORPORAT
LAN8720A-CP-TR
LAN8720A-CP-TR		4-7 НЕДЕЛЬ	670
MF-2MA		BM	1 232	27.09
MF-2MA		TYCO
MF-2MA
MF-2MA		KLS	8	7.87
MF-2MA		CHINA
NTCS0805E3103JMT		Vishay/BC Components
NTCS0805E3103JMT		VISHAY	6 400	28.31
NTCS0805E3103JMT				110.80
NTCS0805E3103JMT		VISHAY	2 064