IRF7855PBF

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRF7855PBF (INTERNATIONAL RECTIFIER.)	32	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики IRF7855PBF

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.4 mOhm @ 12A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	12A
Vgs(th) (Max) @ Id	4.9V @ 100µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	39nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1560pF @ 25V
Power - Max	2.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF7855PBF (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRF7855PBF datasheet
613.1 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
IRF7842	Hexfet power mosfets discrete n-channel	INTERNATIONAL RECTIFIER	56	145.20
IRF7842	Hexfet power mosfets discrete n-channel			196.00
IRF7842	Hexfet power mosfets discrete n-channel	INFINEON
IRF7842	Hexfet power mosfets discrete n-channel	EVVO	2 324	10.15
LM5642MTC		NATIONAL SEMICONDUCTOR
LM5642MTC		NSC
LM5642MTC				600.00
LM5642MTC		NATIONAL SEMICONDUCTOR	70
LM5642MTC		4-7 НЕДЕЛЬ	126