IRF7822PBF


Купить IRF7822PBF ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IRF7822PBF
Версия для печати

Технические характеристики IRF7822PBF

Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C18A
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs6.5 mOhm @ 15A, 4.5V
FET FeatureLogic Level Gate
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
СерияHEXFET®
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) @ Vgs60nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds5500pF @ 16V
Power - Max3.1W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус8-SO
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход