|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
DC COMPONENTS
|
160 254
|
1.73
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
FSC
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
|
92 464
|
1.16
>100 шт. 0.58
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
DIOTEC
|
45 076
|
3.27
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
1 171
|
1.45
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
UTC
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
DIOTEC ELECTRONICS CORP.
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
ONS
|
34 428
|
5.81
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
YJ
|
755 325
|
1.46
>100 шт. 0.73
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
GALAXY ME
|
1 288
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
DIOTEC ELECTRONICS CORP
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
|
1 024
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
YANGJIE
|
26 400
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
HOTTECH
|
1 863 856
|
1.66
>100 шт. 0.83
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
JANGJIE
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
UNKNOWN
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
0.00
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
GME
|
1
|
2.14
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
JSCJ
|
318 064
|
1.42
>100 шт. 0.71
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
1
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
TRR
|
67 200
|
1.29
>500 шт. 0.43
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
JSMICRO
|
150 924
|
1.20
>500 шт. 0.40
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
XXW
|
18 960
|
1.04
>100 шт. 0.52
|
|
|
|
ATMEGA8-16AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...
|
ATMEL
|
17
|
1 756.44
|
|
|
|
ATMEGA8-16AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...
|
ATMEL CORPORATION
|
1 817
|
|
|
|
|
ATMEGA8-16AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...
|
|
988
|
273.12
|
|
|
|
ATMEGA8-16AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...
|
США
|
|
|
|
|
|
ATMEGA8-16AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
ATMEGA8-16AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...
|
ATMEL1
|
|
|
|
|
|
ATMEGA8-16AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...
|
MICRO CHIP
|
228
|
337.88
|
|
|
|
ATMEGA8-16AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...
|
NO NAME
|
|
|
|
|
|
ATMEGA8-16AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
1 278
|
|
|
|
|
ATTINY13A-SSU |
|
Микросхема AVR 8 бит. 1k FLASH 20МГц SOIC
|
ATMEL
|
|
|
|
|
|
ATTINY13A-SSU |
|
Микросхема AVR 8 бит. 1k FLASH 20МГц SOIC
|
|
574
|
97.31
|
|
|
|
ATTINY13A-SSU |
|
Микросхема AVR 8 бит. 1k FLASH 20МГц SOIC
|
ATMEL CORPORATION
|
|
|
|
|
|
ATTINY13A-SSU |
|
Микросхема AVR 8 бит. 1k FLASH 20МГц SOIC
|
КОРЕЯ РЕСПУБЛИК
|
|
|
|
|
|
ATTINY13A-SSU |
|
Микросхема AVR 8 бит. 1k FLASH 20МГц SOIC
|
MICRO CHIP
|
4 322
|
134.32
|
|
|
|
ATTINY13A-SSU |
|
Микросхема AVR 8 бит. 1k FLASH 20МГц SOIC
|
1
|
|
|
|
|
|
ATTINY13A-SSU |
|
Микросхема AVR 8 бит. 1k FLASH 20МГц SOIC
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
510
|
|
|
|
|
BAS16LT1G |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=200mA, P=300mW, Ts=-55.150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAS16LT1G |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=200mA, P=300mW, Ts=-55.150C)
|
ONS
|
46 678
|
2.03
|
|
|
|
BAS16LT1G |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=200mA, P=300mW, Ts=-55.150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
1 070
|
|
|
|
|
BAS16LT1G |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=200mA, P=300mW, Ts=-55.150C)
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
BAS16LT1G |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=200mA, P=300mW, Ts=-55.150C)
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
BAS16LT1G |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=200mA, P=300mW, Ts=-55.150C)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAS16LT1G |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=200mA, P=300mW, Ts=-55.150C)
|
|
|
|
|
|
|
BAS16LT1G |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=200mA, P=300mW, Ts=-55.150C)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BLM21PG600SN1D |
|
Импеданс (100МГц) 60 Ом +25% 3А SMD 0805 -55..+125°C
|
MURATA
|
26 952
|
2.32
|
|
|
|
BLM21PG600SN1D |
|
Импеданс (100МГц) 60 Ом +25% 3А SMD 0805 -55..+125°C
|
MUR
|
136 864
|
1.16
|
|
|
|
BLM21PG600SN1D |
|
Импеданс (100МГц) 60 Ом +25% 3А SMD 0805 -55..+125°C
|
|
1
|
5.84
|
|
|
|
BLM21PG600SN1D |
|
Импеданс (100МГц) 60 Ом +25% 3А SMD 0805 -55..+125°C
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
BLM21PG600SN1D |
|
Импеданс (100МГц) 60 Ом +25% 3А SMD 0805 -55..+125°C
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
BLM21PG600SN1D |
|
Импеданс (100МГц) 60 Ом +25% 3А SMD 0805 -55..+125°C
|
MURATA*
|
|
|
|