|
Версия для печати
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5µA @ 200V |
| Current - Average Rectified (Io) | 8A |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 20A |
| Серия | SWITCHMODE™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Diode Type | Standard |
| Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35ns |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-2 |
| Корпус | TO-220 |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
BS250FTA |
|
Драйвер изолированный модульный MOSFET P-канал, 45В, 90мA | ZETEX |
|
|
|
|
|
|
BS250FTA |
|
Драйвер изолированный модульный MOSFET P-канал, 45В, 90мA |
|
94.00 | ||
|
|
|
BS250FTA |
|
Драйвер изолированный модульный MOSFET P-канал, 45В, 90мA | ZTX |
|
|
|
|
|
|
BS250FTA |
|
Драйвер изолированный модульный MOSFET P-канал, 45В, 90мA | Diodes/Zetex |
|
|
|
|
|
|
BS250FTA |
|
Драйвер изолированный модульный MOSFET P-канал, 45В, 90мA | ZETEX |
|
|
|
|
|
|
BS250FTA |
|
Драйвер изолированный модульный MOSFET P-канал, 45В, 90мA | DIODES INC. |
|
|
|
|
|
|
BS250FTA |
|
Драйвер изолированный модульный MOSFET P-канал, 45В, 90мA | DIODES |
|
|
|
|
|
|
BZV55-B18,115 |
|
NXP Semiconductors |
|
|
||
|
|
|
BZV55-B18,115 |
|
NEX |
|
|
||
|
|
|
BZV55-B18,115 |
|
16 |
|
|||
|
|
|
BZV55-B24,115 |
|
NXP Semiconductors |
|
|
||
|
|
|
BZV55-B24,115 |
|
NEX |
|
|
||
|
|
|
BZV55-B24,115 |
|
|
|
|||
| Д18ВП |
|
|
||||||
|
|
|
КТ610Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный, для ... | 8 | 858.88 | ||
|
|
|
КТ610Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный, для ... | МИНСК |
|
|