| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
|
559
|
5.55
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
MIC
|
11 003
|
3.11
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
FAIRCHILD
|
56
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
GALAXY SEMI HOLDINGS CO LTD.
|
44
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
MOTOROLA
|
53
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
OTHER
|
114
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
PHILIPS
|
70
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
136
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
YJ ELECTRONIC
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
14
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
YJ
|
17 622
|
4.51
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
ON SEMICONDUCTOR
|
22
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
DC COMPONENTS
|
12 652
|
2.68
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
MCC
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
BL
|
3 780
|
2.68
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
JF
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
ONS
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
MASTER INSTRUMENT
|
52
|
10.93
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
SUNTAN
|
1
|
1.28
>100 шт. 0.64
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
JY
|
295
|
4.15
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
GEMBIRD
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
MD
|
397
|
2.68
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
ASEMI
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
1
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
LGE
|
255
|
2.18
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO. LTD Г. ЯНЧЖОУ
|
3
|
2.40
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
11475
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
3599
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
4726
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
583
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
UNISONIC TECHNOLOGIES
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
UTC
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
KOREA ELECTRONICS CORPORATION
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
DIOTEC
|
2 493
|
5.07
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
FAIRCHILD
|
968
|
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
KOREA ELECTRONICS CORPORATION
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
3 209
|
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
UNISONIC TECHNOLOGIES CO, LTD
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
MCC
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
KEC AMERICA (USD)
|
15 222
|
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
|
42 800
|
1.31
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
HOTTECH
|
225 486
|
1.89
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
KLS
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
LGE
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
YOUTAI
|
5
|
7.91
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
YJ
|
24 431
|
3.71
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
SUNTAN
|
5 655
|
1.34
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
JSCJ
|
65 715
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
KEEN SIDE
|
4
|
1.62
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
MERRYELC
|
40
|
1.59
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
NEXPERIA
|
12 000
|
3.58
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
15000
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
2050
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
1970
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
RUME
|
81 600
|
1.07
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
SLKOR
|
2 400
|
1.68
>100 шт. 0.84
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
TRR
|
256 000
|
1.66
>100 шт. 0.83
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
|
10 400
|
1.78
>100 шт. 0.89
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
CJ
|
4 844
|
4.13
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
YJ
|
|
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
HOTTECH
|
13 532
|
1.06
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
OMRON
|
|
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
LGE
|
|
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
YOUTAI
|
7 009
|
1.48
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
HXY
|
3 157
|
1.28
>100 шт. 0.64
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
KEEN SIDE
|
19 742
|
1.18
>100 шт. 0.59
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
640
|
|
|
|
|
|
КП304А |
|
Транзисторы кремниевые диффузорно-планарные полевые с изолированным затвором и ...
|
СВЕТЛАНА
|
|
|
|
|
|
КП304А |
|
Транзисторы кремниевые диффузорно-планарные полевые с изолированным затвором и ...
|
|
|
272.40
|
|
|
|
КП304А |
|
Транзисторы кремниевые диффузорно-планарные полевые с изолированным затвором и ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КП501А |
|
Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...
|
|
3 679
|
20.24
|
|
|
|
КП501А |
|
Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...
|
МИНСК
|
11 170
|
28.64
|
|
|
|
КП501А |
|
Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
КП501А |
|
Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КП501А |
|
Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КП501А |
|
Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
КП501А |
|
Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...
|
1058
|
|
|
|
|
|
КП501А |
|
Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...
|
14555
|
|
|
|
|
|
КП501А |
|
Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...
|
3000
|
|
|
|