SS19

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
SS19 (YJ)	14 835	1.94
SS19	41 440	1.74
SS19 (DC COMPONENTS)	42	3.93
SS19 (ONSEMI)	4	3.87

Версия для печати

Технические характеристики SS19

Скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type	Schottky
Current - Reverse Leakage @ Vr	200µA @ 90V
Current - Average Rectified (Io)	1A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	90V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	850mV @ 1A
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Корпус	SMA
Корпус (размер)	DO-214AC, SMA
Тип монтажа	Поверхностный

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

1SS196 (Переключающие диоды)

Diode (ultra High Speed Switching Application)

Производитель:
Toshiba Semiconductor
//www.semicon.toshiba.co.jp

SS19 datasheet
129.57Kb
2стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
10BQ040PBF	SMD диод Шоттки Vrrm=40 В, Ifav=1A, корпус SMB	VISHAY
10BQ040PBF	SMD диод Шоттки Vrrm=40 В, Ifav=1A, корпус SMB	INTERNATIONAL RECTIFIER
10BQ040PBF	SMD диод Шоттки Vrrm=40 В, Ifav=1A, корпус SMB	INTERNATIONAL RECTIFIER
10BQ040PBF	SMD диод Шоттки Vrrm=40 В, Ifav=1A, корпус SMB	Vishay/Semiconductors
BH2-10			155	59.20
BH2-10		BM	1 239	22.42
BH2-10		ELETE
BH2-10		KLS
BH2-10		CHINA	1	11.47
IDM-20				62.28
IDM-20		ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
NSPW-310BSW				336.00
SDR1006-331KL	Индуктивность 330 мкГн SMD	BOURNS	1 822	64.25
SDR1006-331KL	Индуктивность 330 мкГн SMD
SDR1006-331KL	Индуктивность 330 мкГн SMD	BOURNS