SI3443DV

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
SI3443DV (FAIRCHILD.)	2 003	3-4 недели Цена по запросу
SI3443DV (INTERNATIONAL RECTIFIER.)	168	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики SI3443DV

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	PowerTrench®
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	65 mOhm @ 4A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	4A
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	10nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	640pF @ 10V
Power - Max	800mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	6-SSOT, SuperSOT™-6
Корпус	6-SSOT
Product Change Notification	Cu Wire Change 30/July/2007 Mold Compound Change 07/Dec/2007 Mold Co

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

SI3443DV (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete P-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

SI3443DV datasheet
109.1 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
AP9435M		ADVANCED POWER ELECT. CORP
AP9435M		ADVANCED POWER ELECT. CORP	1 654
AP9435M
MC79L05ACDR	Стабилизатор напряжения -5V 0,1A	TEXAS INSTRUMENTS
MC79L05ACDR	Стабилизатор напряжения -5V 0,1A		112	24.05
MC79L05ACDR	Стабилизатор напряжения -5V 0,1A	TEXAS INSTRUMENTS	200
MC79L05ACDR	Стабилизатор напряжения -5V 0,1A	TEXAS
MC79L05ACDR	Стабилизатор напряжения -5V 0,1A	4-7 НЕДЕЛЬ	211
NH82801GB(SL8FX)		INTEL
NH82801GB(SL8FX)		INTEL
NH82801GB(SL8FX)
NH82801GB(SL8FX)		4-7 НЕДЕЛЬ	660
RG82865G(SL743)		INTEL
RG82865G(SL743)		INTEL
RG82865G(SL743)
RG82865G(SL743)		4-7 НЕДЕЛЬ	85
КТ361Б КРАСН.	Транзистор структуры PNP усилительный	ТОМСК
КТ361Б КРАСН.	Транзистор структуры PNP усилительный	НАЛЬЧИК
КТ361Б КРАСН.	Транзистор структуры PNP усилительный