NTD5867NLT4G


Купить NTD5867NLT4G ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
NTD5867NLT4G MOSFET N-CH 60V 18A 43MOHM DPAK MOSFET N-CH 60V 18A 43MOHM DPAK
Версия для печати

Технические характеристики NTD5867NLT4G

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs39 mOhm @ 10A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C20A
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs15nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds675pF @ 25V
Power - Max36W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
КорпусD-Pak
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


NTD5867NLT4G datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход