NTD5865NLT4G

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
NTD5865NLT4G (ON SEMICONDUCTOR.)	140	3-4 недели Цена по запросу

MOSFET N-CH 60V 34A 18MOHM DPAK

Версия для печати

Технические характеристики NTD5865NLT4G

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	16 mOhm @ 20A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	40A
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	29nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1400pF @ 25V
Power - Max	52W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

NTD5865NLT4G datasheet